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一种球形覆钴氢氧化镍出产工艺的造作方式

  [0008]正在所述第四步中插手的硫酸镍取硫酸钴的总浓度比第一步中插手的硫酸镍溶液、硫酸钴夹杂溶液总浓度要高,为一级配料的I?2.5倍,因而氢氧化镍取氢氧化钴的堆积速度比第二步中的一级包复的速度稍快,包覆层的厚度约为数十纳米。

  第四步:二级包覆层的合成,将制配好的硫酸镍溶液取液碱、氨水按适量的流量加到合成搅拌釜中,将步调二分手出来的球形氢氧化镍颗粒放入夹杂,加温进行持续反映,使球形氢氧化镍的概况复盖一层氢氧化镍取氢氧化钴的混晶层,因为钴离子占劣势,构成的覆钴层从里往外,钴的含量逐步继续添加,呈梯度分布,最外层根基上是氢氧化钴;通过节制反映前提和时间,能够节制第二级覆钴层的厚度;

  [0005]为了降服现有手艺的上述错误谬误,本发现供给一种球形覆钴氢氧化镍出产工艺,它将一级合成法改为合成法,逐次正在球形氢氧化镍概况构成以镍为从的镍钴复盖层、以钴为从的钴镍复盖层、氢氧化钴层,制得各层慎密连系,电学性质优良的覆钴层,并防止钴的均相成核感化,获得及格的球形覆钴氢氧化镍。

  [0004]采用化正在球形氢氧化镍概况包覆Co(OH)2膜,其道理是将球形氢氧化镍取去离子水按适量比例插手反映釜夹杂平均,然后将硫酸钴、氢氧化钠、氨水按适量流速插手反映釜进行反映。节制系统温度,正在pH值正在12?13之间,Co2+先取NH3发生络合反映,然后钴氨络合物迟缓出Co2+,取0H—反映生成Co(OH)2,当系统的Co(OH)2的浓度跨越其非均质形核的过饱和度时,Co(OH)2便会正在球形氢氧化镍概况形核并长大,跟着反映时间的耽误,球形氢氧化镍概况便会平均包覆上一层Co(OH)2t3此法存正在两个问题:跟着反映系统pH值升高,系统中碱量相对添加,络合钴削减,形成Co(OH)2正在球形氢氧化镍概况的包覆速度加速,包覆层慎密程度降低,影响样品的松拆密度;别的,当系统中碱相对量添加到适量值时,Co(OH)2的成核过饱和度增大,还可能会呈现单个的Co(OH)2小颗粒或微团生成,同化正在球形氢氧化镍间,形成整个样品松拆密度的下降,包覆层不紧,可能会掉粉,晦气于Co(OH)2均勾包覆到正极材料概况。

  第三步:二级配料,将精制的硫酸镍溶液和硫酸钴溶液按适量的比例夹杂,此中硫酸镍的浓度取硫酸钴的浓度比为0.1?0.3:1;

  第五步:配料及包覆层的合成,将精制的硫酸钴溶液取液碱、氨水按适量的流量加到合成搅拌釜中,将步调四分手出来的球形覆钴氢氧化镍颗粒放入反映釜,加温进行持续反映,使球形氢氧化镍的概况包复一层氢氧化钴膜,通过节制反映前提和时间,能够节制第覆钴层的厚度;

  第二步:一级包覆层的合成,将制配好的硫酸镍溶液取液碱、氨水按适量的流量加到合成搅拌釜中,将已制备的球形氢氧化镍颗粒放入,加温进行反映,使球形氢氧化镍的概况包复一层氢氧化镍取氢氧化钴的混晶层,因为镍离子的浓度较大,而且球形氢氧化镍优先吸附构晶离子,构成的覆钴层从里往外,钴的含量逐步添加并呈梯度分布,通过节制反映前提和时间,节制第一级包覆层的厚度;

  [0002]球形氢氧化亚镍做为蓄电池的正极材料,获得了普遍的使用。通俗氢氧化镍是一种低电导性P型半导体,充/放电效率低,电极机能较差,其机能的改良一曲是人们研究的一个次要标的目的。为了提高球形氢氧化镍颗粒之间、活性物质取导电骨架之间、活性物质取电解液之间的导电性,改善电极的机能,人们采用分歧的添加剂,此中钴类添加剂比力无效:一是操纵化学镀的方式正在Ni(OH)2的概况包覆钴膜,别的一种是操纵化学方式正在Ni(OH)2的概况包覆Co(0H)2。

  [0006]本发现处理其手艺问题所采用的手艺方案是:一种球形覆钴氢氧化镍出产工艺,采用(三次)堆积包复的体例,其工艺步调是:

  [0010]本发现的积极结果是:采用合成的方式,逐次正在球形氢氧化镍概况构成镍钴复盖层(镍为从)、钴镍复盖层(钴为从)、氢氧化钴层,制得各层慎密连系,电学性质优良的覆钴层,并防止钴的均相成核感化,获得及格的球形覆钴氢氧化镍,具有包覆层慎密、出产工艺简练、出产效率高档特点。

  [0003]目前,出产高机能球形氢氧化镍的方式大多采用氨共同沉淀法,提高其机能的润色方式次要无机械夹杂、电化学共堆积、概况镀、化学共沉淀法等。以机械夹杂的体例正在氢氧化镍活性物质中CoO等导电物质,因为夹杂工艺前提的,氢氧化镍活性物质取导电物质不成能混分平均,改善感化无限。采用化学镀手艺正在氢氧化镍颗粒概况包覆Co,可较好地处理放电时所生成的Ni(OH)2堆积正在电极/溶液界面构成高界面电阻而进一步放电的难题,是提高镍电极导电性无效路子。但添加的Co化合物容易改变为活性差的Co+3O(OH)和Co3O4,使得镍电极的机能下降,出产工艺较为复杂、成本较高。化将球形氢氧化镍概况包覆Co(OH)2,能够提高球形氢氧化镍的电机能。正在球形氢氧化镍Ni(OH)2概况平均堆积Co(OH)2,恰当的包覆体例和覆Co量能够提高球形Ni (OH)2的电化学轮回不变性和容量连结率。

  [0009]正在所述第五步中硫酸钴的浓度节制正在80g//L?120g/L的范畴内,第覆钴层是实正的氢氧化钴包覆层,完全由氢氧化钴构成,包复层的可达0.3微米以上。

  第一步:一级配料,将精制的硫酸镍溶液和硫酸钴溶液按适量的比例夹杂,此中硫酸镍的浓度取硫酸钴的浓度比为2.5?4.5:1;

  第六步:洗涤取干燥,球形覆钴氢氧化镍悬浮正在母液中,将反映釜排出的悬浊液经多次洗涤、压滤法进行固液分手,过滤后球形覆钴氢氧化镍干燥温度节制为80°C?100°C,制得包覆层连系慎密、电学机能优良的球形覆钴氢氧化镍。

  [0007]正在所述第二步中通过较低浓度的硫酸镍、硫酸钴夹杂溶液正在球形氢氧化镍的外层堆积,降低氢氧化镍取氢氧化钴的堆积速度,使覆钴层极为慎密,硫酸镍取硫酸钴的总浓度节制正在20g/L?45g/L的范畴内,此包覆层的厚度薄,仅为十余纳米。